BGA7L1N6E6327XTSA1 - 用于 LTE 的硅锗低噪声放大器
零件编号:BGA7L1N6E6327XTSA1
封装:6-XFDFN
类型:低噪声放大器
详细描述:射频放大器 IC LTE 728MHz ~ 960MHz PG-TSNP-6-2
产品概述
BGA7L1N6E6327XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪声放大器,覆盖 728 MHz 至 960 MHz 的宽频率范围。LNA 的增益为 13.3 dB,噪声系数为 0.90 dB,电流消耗为 4.4 mA。BGA7L1N6 采用英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。
特性概述
插入功率增益:13.3 dB
低噪声系数 0.90 dB
低电流消耗: 4.4 mA
工作频率 728 - 960 MHz
电源电压:1.5 V 至 3.3 V
数字开/关开关(1V 逻辑高电平)
超小型 TSNP-6-2 无引线封装(基底面:0.7 x 1.1 mm2)
B7HF 硅锗技术
射频输出内部匹配为 50 Ω
仅需 1 个外部 SMD 元件
2kV HBM ESD 保护(包括 AI 引脚)
无铅(符合 RoHS 规范)封装
型号
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封装
数量
描述
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