CY9AF114MAPMC-GNE2 - 32 位 Arm Cortex-M3 内核,工作频率高达 40MHz
零件编号:CY9AF114MAPMC-GNE2
封装:LQFP-80
类型:32 位单核微控制器 IC
详细描述:ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9A110A 微控制器 IC 32 位单核 40MHz 256KB (256K x 8) FLASH 80-LQFP (12x12)
产品概览
CY9AF114MAPMC-GNE2 是高度集成的 32 位微控制器,适用于高性能和成本敏感型嵌入式控制应用。CY9A110A 系列基于 Arm® Cortex®-M3 处理器、片上闪存和 SRAM,以及电机控制定时器、ADC、通信接口(UART、CSIO、I2C、LIN)等外设功能。
产品特性
32 位 Arm® Cortex®-M3 内核
工作频率高达 72 MHz
高达 512 Kbyte 闪存
多功能串行接口(最多 8 个通道)
外部总线接口
- 支持 SRAM、NOR 闪存设备
- 最多 8 个芯片选择
- 8-16 位数据宽度
- 最多 25 位地址位
- 最大区域大小 高达 256 Mbytes
- 支持地址/数据多路复用
外部中断控制器单元
- 最多 16 个外部中断输入引脚
- 包括一个非屏蔽中断 (NMI) 输入引脚
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx 微控制器 IC 32 位单核 240MHz 4MB(4M x 8) 闪存 PG-LFBGA-292-6
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CY15B102N-ZS60XM
CY15B102N-ZS60XM是 128K 16 非易失性存储器,其读写与标准 SRAM 相似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是一种非易失性存储器,这意味着数据在断电后仍能保留。它的数据保留时间超过 121 年,同时消除了电池支持 SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快…CY15V116QSN-108BKXQ
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。CY15…CY15B116QSN-108BKXQ
CY15B116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。CY15V108QSN-108BKXQ
CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。CY15B116QI-20BKXC
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是一种非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统…CY15B108QSN-108BKXQ
CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。与串行闪存不同,CY15x108QSN 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询,即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失…电话咨询:86-755-83294757
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