CY9BF122KQN-G-AVE2 - 高度集成的 32 位 Arm® Cortex®-M3 FM3 微控制器
型号:CY9BF122KQN-G-AVE2
封装:VFQFN-48
类型:32 位单核微控制器 IC
详细说明:ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B120M 微控制器 IC 32 位单核 72MHz 160KB(160K x 8)闪存 48-QFN(7x7)
产品概览
CY9BF122KQN-G-AVE2是高度集成的 32 位微控制器,专用于嵌入式控制器,具有低功耗模式和极具竞争力的成本。这些系列基于 Arm® Cortex®-M3 处理器,带有片上闪存和 SRAM,并具有各种定时器、ADC、DAC 和通信接口(UART、CSIO、I2C、LIN)等外设功能。
产品特性
32 位 Arm® Cortex®-M3 内核
处理器版本:R2P1
工作频率高达 72 MHz
集成嵌套向量中断控制器 (NVIC): 1 个 NMI(非屏蔽中断)和 48 个外设中断以及 16 个优先级
4 位系统定时器(Sys Tick): 用于操作系统任务管理的系统定时器
片上存储器
A/D 转换器(最多 26 个通道)
[12 位 A/D 转换器]
逐次逼近型
内置 2 个单位
转换时间:0.8 μs @ 5V
扫描转换模式
内置 FIFO,用于存储转换数据(扫描转换:16 步,优先转换:4 步)
电源 - 宽电压范围: VCC = 2.7V 至 5.5V
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx 微控制器 IC 32 位单核 240MHz 4MB(4M x 8) 闪存 PG-LFBGA-292-6
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CY15B102N-ZS60XM
CY15B102N-ZS60XM是 128K 16 非易失性存储器,其读写与标准 SRAM 相似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是一种非易失性存储器,这意味着数据在断电后仍能保留。它的数据保留时间超过 121 年,同时消除了电池支持 SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快…CY15V116QSN-108BKXQ
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。CY15…CY15B116QSN-108BKXQ
CY15B116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。CY15V108QSN-108BKXQ
CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。CY15B116QI-20BKXC
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是一种非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统…CY15B108QSN-108BKXQ
CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。与串行闪存不同,CY15x108QSN 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询,即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失…电话咨询:86-755-83294757
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