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NSI6601MC-DSPR是一种单沟道隔离栅极驱动器，适用于驱动IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET的许多应用。提供单独的输出以分别控制上升和下降持续时间。它可以提供5A/5A的峰值源/汇电流，并提供米勒箝位以防止高di/dt下的误导。最小150kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI）确保了系统的鲁棒性。驱动器的最大电源电压为32V，并且向输入侧提供3.1V至17V的电源电压。所有电源引脚都支持欠压锁定（UVLO）保护。NSi6601M设计具有高驱动电流、优异的耐用性、宽电源电压范围和快速信号传播，适用于要求高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统。

产品特点

•单通道隔离驱动器

•输入侧电源电压：3.1V至17V

•驾驶员侧电源电压：高达32V，具有9V和13V UVLO选项

•M版支持米勒箝位功能（NSi6601M），电流高达5A

•峰值源/汇电流为5A/5A

•高CMTI：150kV/μs

•典型传播延迟：78ns

•工作环境温度：-40℃~125℃

•AEC-Q100

•符合RoHS标准的包装：SOP8（150密耳）

应用

•隔离DC/DC和AC/DC电源

•高压PFC

•光伏逆变器

•汽车驾驶员和电动汽车充电

•不间断电源和电池充电器

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