APT40M70JVR - Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET 模块。这项新技术最大限度地减少了 JFET 效应,提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
产品属性
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss) 400 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 53A (Tc)
驱动电压(最大 Rds 导通,最小 Rds 导通)10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs 70mOhm @ 26.5A,10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 495 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 8890 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 450W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 底座安装
供应商 器件封装 SOT-227 (ISOTOP®)
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
产品特性
开关速度更快
100% 雪崩测试
更低漏电
流行的 SOT-227 封装
型号
品牌
封装
数量
描述
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