UJ4C075033K4S - 750V、33mohm G4 SiC FET 晶体管
产品属性
技术: 碳化硅
安装方式:SMD/SMT
封装/外壳:TO-247-4
晶体管极性 N 通道
通道数 1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:750 V
Id - 持续漏极电流:47 A
Rds On - 漏极-源极电阻: 41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:6 V
Qg - 栅极电荷: 37.8 nC
Pd - 功率耗散:242 W
通道模式: 增强
产品类型 MOSFET 晶体管
主要特性
导通电阻 (RDS(on)): 33 欧姆(典型值)
最高工作温度 175 °C
出色的反向恢复能力: Qrr = 88 nC
低体二极管 VFSD:1.26 V
低栅极电荷: QG = 37.8 nC
阈值电压 VG(th): 4.8 V(典型值),允许 0 至 15 V 驱动电压
典型应用
服务器和电信电源
开关模式电源
直流-直流转换器电路
电动汽车充电站
光伏逆变器
UJ4C075033K4S - 该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。
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