UFB15C12E1BC3N 器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。
特性
导通电阻 RDS(on): 70 欧姆(典型值)
工作温度 150 C(最高)
出色的反向恢复能力: Qrr = 140 nC
低体二极管 VFSD:1.4 V
低栅极电荷: QG = 46 nC
阈值电压 VG(th): 5 V(典型值),允许 0 至 15 V 驱动电压
低本征电容
ESD 保护: HBM 等级 2 和 CDM 等级 C3
应用
电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热
型号
品牌
封装
数量
描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
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