UF4C120053B7SSR 是一款 1200V、53 欧姆 G4 SiC FET。它采用独特的 "级联 "电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。
特性
导通电阻 RDS(on): 53 欧姆(典型值)
工作温度 175 C(最高)
出色的反向恢复能力: Qrr = 98 nC
低体二极管 VFSD:1.28 V
低栅极电荷: QG = 37.8 nC
本征电容低
ESD 保护: HBM 2 级
应用
电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正电路
直流-直流转换器电路
感应加热
型号
品牌
封装
数量
描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
DWM3001CTR13
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UJ4SC075009K4S是一款750 V, 9 mohm Gen 4 SiC FET,采用TO-247-4L封装。该SiC FET具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。规格技术:SiC安装风格:通孔封装 / 箱体:TO-247-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 Chann…UJ4SC075011K4S
UJ4SC075011K4S是一款750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET,采用TO-247-4L封装。该SiC FET具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。规格技术:SiC安装风格:通孔封装 / 箱体:TO-247-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 Chan…电话咨询:86-755-83294757
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