RAA489800 双向升降压稳压器提供升降压调节和保护功能。 Renesas 先进的 R3™ 技术提供高轻载效率、快速瞬态响应和无缝 DCM/CCM 转换。 RAA489800 从高达 23V 的各种直流电源(例如传统的 AC/DC 适配器 (ADP)、USB PD 端口、旅行 ADP)获取输入电源,并将其安全地转换为高达 21V 的稳压电压。
特点
双向降压、升压和升降压操作
可配置为 4 开关降压-升压或 2 开关降压操作
输入电压范围:3.8V 至 23V(无死区)
输出电压:高达 21V
高达 1MHz 的开关频率
引脚可编程软启动时间
LDO 输出,适用于 VDD 和 VDDP
系统故障状态警报功能
输入/输出内部放电功能
有源开关,用于负电压转换
双向直通模式
正向和反向模式使能引脚
OCP、OVP、UVP 和 OTP 保护
绝对过压保护
兼容 SMBus 和自动递增 I2C
无铅(符合 RoHS)
32 引脚 4x4 TQFN 封装
UL 2367、IEC 62368-1:文件编号 E520109
应用
• 平板电脑
• 超级本
• 移动电源
• 移动设备
• USB-C设备
型号
品牌
封装
数量
描述
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。该晶体管结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要规格如下:晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子的 Gen IV 平台构建的常闭器件。TP65H300G4LSGB结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行业标准的 PQFN88 封装,具有 Kelvin 源和通用源封装配置。…AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行闪存,由Renesas生产,支持单/双/四线I/O、QPI和DTR接口,适用于工业、消费电子等领域。该器件具有以下特性:通用兼容的引脚排列和命令集标准块架构支持双 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高达 133MHz双倍传输速率(DTR)高达 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行闪存,支持单路、双路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,适用于工业、消费类和联网应用。其技术参数如下:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8系列:AT25xF2561C存储容量:256 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外设接口(SPI)NOR闪存器件设计用于各种大容量工业、消费类和联网应用。AT25QF2561C-SXUB可用于将从闪存启动到嵌入式或外部RAM的程序存储器存储,和/或用于直接从闪存执行(XiP)中执行代码。为了实现快速执行,AT25QF2561C-SXUB支持高达13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外设接口(SPI)闪存器件,用于各种大容量工业、消费电子和连接应用。 它可以储存从闪存到嵌入式或外部 RAM 的程序内存,和/或直接从闪存执行代码(就地执行(XiP))。 为了实现快速执行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…电话咨询:86-755-83294757
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