R7S910026CBA 是一款高性能 MCU,配备了带 FPU 的 Arm® Cortex®-R4 处理器和 Cortex-M3 处理器(用于集成 R-IN 引擎的产品),并集成了系统配置所需的外设功能。
产品特性
片上 32 位 Arm Cortex-R4
带 ECC 的紧密耦合存储器 (TCM):512 Kbytes/32 Kbytes
带 ECC 的指令高速缓存/数据高速缓存:每个高速缓存 8 Kbytes 高速中断
带有 8 级流水线的哈佛架构
支持内存保护单元 (MPU)
Arm CoreSight 架构,支持通过 JTAG 和 SWD 接口进行调试
低功耗
待机模式、睡眠模式和模块停止功能
片上扩展 SRAM
高达 1 Mbyte 的片上扩展 SRAM,带 ECC
数据传输
DMAC: 16 个通道 × 2 个单元
用于以太网控制器的 DMAC:1 个通道
复位和电源电压控制
四个复位源,包括引脚复位
双电源电压配置: 3.3 V(I/O 单元)、1.2 V(内部)
时钟功能
外部时钟/振荡器输入频率:25 MHz
CPU 时钟频率: 高达 300/450/600 MHz
低速片上振荡器 (LOCO): 240 kHz
I2C 总线接口:2 个通道,传输速率高达 400 kbps
多达 33 个扩展功能定时器
用于测量芯片内温度的温度传感器
型号
品牌
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描述
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TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。该晶体管结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要规格如下:晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子的 Gen IV 平台构建的常闭器件。TP65H300G4LSGB结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行业标准的 PQFN88 封装,具有 Kelvin 源和通用源封装配置。…AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行闪存,由Renesas生产,支持单/双/四线I/O、QPI和DTR接口,适用于工业、消费电子等领域。该器件具有以下特性:通用兼容的引脚排列和命令集标准块架构支持双 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高达 133MHz双倍传输速率(DTR)高达 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行闪存,支持单路、双路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,适用于工业、消费类和联网应用。其技术参数如下:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8系列:AT25xF2561C存储容量:256 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外设接口(SPI)NOR闪存器件设计用于各种大容量工业、消费类和联网应用。AT25QF2561C-SXUB可用于将从闪存启动到嵌入式或外部RAM的程序存储器存储,和/或用于直接从闪存执行(XiP)中执行代码。为了实现快速执行,AT25QF2561C-SXUB支持高达13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外设接口(SPI)闪存器件,用于各种大容量工业、消费电子和连接应用。 它可以储存从闪存到嵌入式或外部 RAM 的程序内存,和/或直接从闪存执行代码(就地执行(XiP))。 为了实现快速执行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…电话咨询:86-755-83294757
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