R9A08G045S35GBG微处理器包括一个 Cortex®-A55 (1.1GHz) CPU、16 位 LPDDR4 或 DDR4 接口和低功耗模式。它还具有 PCIe、CAN FD 和 12 位 ADC 等多种接口,是物联网边缘应用等应用的理想之选。
产品属性
核心处理器:ARM® Cortex®-A55
内核数/总线宽度:1 核,64 位
速度:1.1GHz
协处理器/DSP:ARM® Cortex®-M33
RAM 控制器:DDR4,LPDDR4
图形加速:无
以太网:10/100/1000Mbps(2)
USB:USB 2.0 OTG(2)
电压 - I/O:1.8V,3.3V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安全特性:AES,ARM TZ,散列,RSA,安全引导,TRNG
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:361-LFBGA
供应商器件封装:361-LFBGA(13x13)
附加接口:DMA, I2C, I2S, MMC/SD/SDIO, SPI, UART
型号
品牌
封装
数量
描述
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。该晶体管结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要规格如下:晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子的 Gen IV 平台构建的常闭器件。TP65H300G4LSGB结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行业标准的 PQFN88 封装,具有 Kelvin 源和通用源封装配置。…AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行闪存,由Renesas生产,支持单/双/四线I/O、QPI和DTR接口,适用于工业、消费电子等领域。该器件具有以下特性:通用兼容的引脚排列和命令集标准块架构支持双 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高达 133MHz双倍传输速率(DTR)高达 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行闪存,支持单路、双路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,适用于工业、消费类和联网应用。其技术参数如下:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8系列:AT25xF2561C存储容量:256 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外设接口(SPI)NOR闪存器件设计用于各种大容量工业、消费类和联网应用。AT25QF2561C-SXUB可用于将从闪存启动到嵌入式或外部RAM的程序存储器存储,和/或用于直接从闪存执行(XiP)中执行代码。为了实现快速执行,AT25QF2561C-SXUB支持高达13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外设接口(SPI)闪存器件,用于各种大容量工业、消费电子和连接应用。 它可以储存从闪存到嵌入式或外部 RAM 的程序内存,和/或直接从闪存执行代码(就地执行(XiP))。 为了实现快速执行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…电话咨询:86-755-83294757
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