FDA803S-6DT是一款D类汽车音频放大器，专门设计用于汽车应用，特别是紧急呼叫和远程信息处理应用。该器件将24位、100dB DAC转换和PWM D类输出级与LC滤波器前反馈结合。
产品属性
类型：D 类
输出类型：1-通道（单声道）
不同负载时最大输出功率 x 通道数：10W x 1 @ 4 欧姆
电压 - 供电：3.3V ~ 18V
特性：-
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
工作温度：-
等级：汽车级
资质：AEC-Q100
供应商器件封装：32-VFQFPN（5x5）
封装/外壳：32-TFQFN 裸露焊盘
型号
品牌
封装
数量
描述
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。
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ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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