商品名称:NVTYS9D6P04M8LTWG
品牌:ON
年份:23+
封装:8-LFPAK56
货期:全新原装
库存数量:1000 件
NVTYS9D6P04M8LTWG 是 40V 单 P 沟道功率 MOSFET 晶体管。
产品属性
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Ta),71A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 580µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2368 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.9W(Ta),75W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-LFPAK
封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
特性
小尺寸(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑型设计
低 RDS(on),将传导损耗降至最低
低电容,将驱动器损耗降至最低
通过 AEC-Q101 认证,符合 PPAP 要求
型号
品牌
封装
数量
描述
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