商品名称:IAUT260N10S5N019
数据手册:IAUT260N10S5N019.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:H-PSOF-8-1
货期:全新原装
库存数量:8000 件
IAUT260N10S5N019是N沟道100 V 260A(Tc)300W(Tc)表面贴装型,单MOSFET场效应晶体管。
产品规格
FET型N沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏极-源极电压(Vdss)100 V
电流-25°C时的连续漏极(Id)260A(Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开)6V,10V
Id时Rds On(Max),100A、10V时Vgs 1.9mOhm
210µA时Id为3.8V时的Vgs(th)(最大值)
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 166 nC@10 V
电压(最大值)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@Vds 11830 pF@50 V
功耗(最大)300W(Tc)
工作温度-55°C~175°C(TJ)
产品特征
N通道-增强模式
AEC-Q101合格
MSL1最高260°C峰值回流
175°C工作温度
绿色产品(符合RoHS标准)
超低Rds(开)
100%雪崩测试
光学MOS™-5功率晶体管 IAUT260N10S5N019 N沟道100V 260A 300W表面安装
型号
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描述
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