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PJQ4401P是一款30V P 沟道增强模式 MOSFET。

产品属性

FET 类型： P 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 30 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：10A（Ta），50A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） ：8.5 毫欧 @ 10A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC @ 4.5 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3228 pF @ 15 V  

功率耗散（最大值）： 2W（Ta），60W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： DFN3333-8  

封装/外壳： 8-PowerVDFN

特性

RDS（ON），VGS@-10V，ID@-10A<8.5mΩ

RDS（ON），VGS@-4.5V,ID@-8A<14mΩ

高开关速度

改进的 dv/dt 能力

低栅极电荷

低反向传输电容

无铅，符合欧盟 RoHS 2.0 标准

符合 IEC 61249 标准的绿色模塑化合物

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。