商品名称:IMBF170R1K0M1
数据手册:IMBF170R1K0M1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封装:TO-263-7
货期:全新原装
库存数量:1000 件
IMBF170R1K0M1 CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
规格
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1000毫欧 @ 1A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5 nC @ 12 V
Vgs(最大值) +20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 275 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-13
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
优势
1700 V SiC MOSFET能实现简单高效的单端反激式拓扑结构,适用于辅助电源
SMD(表面贴装)封装便于直接集成于PCB,能实现自然对流冷却,无需额外的散热器
由于产品封装的爬电距离和电气间隙增大,隔离工作量减少
降低系统复杂性
高功率密度
应用领域
储能系统
电动汽车快速充电
电源
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
型号
品牌
封装
数量
描述
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