商品名称:UJ4C075033K3S
数据手册:UJ4C075033K3S.pdf
品牌:Qorvo
年份:23+
封装:TO-247-3
货期:全新原装
库存数量:1000 件
UJ4C075033K3S 是一款 750V、33mW G4 SiC FET,采用独特的 "级联 "电路配置。与 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常关断 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许矽 IGBT、矽 FET、SiC MOSFET 或矽超结器件的真正 "即插即用替代品"。该器件采用 TO-247-3L 封装,具有超低栅极电荷和超高稳定性。器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,是开关器件的理想之选。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss):750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 30A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):37.8 nC @ 15 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):242W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
应用
● 牵引逆变器
● DC-DC转换器
● 光伏逆变器
● Ev电池充电
● 开关模式电源
● 功率因数校正模块
● 电机驱动器
● 感应加热
● IT基础设施
型号
品牌
封装
数量
描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
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