商品名称:UF3C120400B7S
数据手册:UF3C120400B7S.pdf
品牌:Qorvo
年份:23+
封装:TO-263-8
货期:全新原装
库存数量:1000 件
UF3C120400B7S碳化硅场效应晶体管器件采用独特的 "级联 "电路配置。该器件采用独特的 "级联 "电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常关型 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT 的真正 "直接替代品"。采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性、使其成为开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):515毫欧 @ 5A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):22.5 nC @ 15 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):739 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):100W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK-7
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
应用
● 电动汽车
● 电池充电器
● 电信和服务器 PSU
● 太阳能逆变器
● 能源存储
● 电机驱动器
● 开关电源
● 辅助电源
● 负载开关
型号
品牌
封装
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描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
TQP3M9019
说明:Qorvo的TQP3M9019是一款可级联、高线性度增益模块放大器,采用低成本表贴封装。1.9 GHz时,该放大器通常提供22 dB增益、+39.5 dBm OIP3和1.3 dB噪声系数,功耗仅为115 mA。该器件采用符合行业标准的无铅/绿色/RoHS 16引脚3 x 3 mm QFN封装。详细参数工作频率:20 M…QPL9503TR7
介绍:QPL9503TR7是一款平坦增益、高线性度、超低噪声放大器,采用2 x 2 mm小型表贴封装。LNA在3至6 GHz的宽带宽范围内提供2 dB(峰峰值)的增益平坦度。5.5 GHz时,放大器通常提供21.6 dB增益、56mA偏置设置下的+35.5 dBm OIP3和0.95 dB噪声系数。LNA可以从3.3到5伏的单个…CMD240C4
概述:Qorvo的CMD240C4是一款宽带GaAs MMIC分布式放大器,采用无引脚4x4mm表贴封装。该放大器的工作频率范围为DC至22 GHz,提供15 dB以上的增益,相应噪声系数为2 dB,10 GHz时输出1 dB压缩点为+19 dBm。详细参数工作频率:0 Hz to 22 GHz工作电源电压:5 V to 8 V工作电…CMD328K3
说明:CMD328K3是一款宽带MMIC低噪声放大器,采用无引线3mm x 3mm塑料表面贴装气腔封装。该款器件非常适合用于需要小尺寸和低功耗的EW和通信系统。该宽带器件的增益大于27dB,相应输出1dB压缩点为+12dBm,噪声系数为1.4dB。详细参数工作频率:6 GHz to 18 GHz工作电源电压…QPA0708T
概述:Qorvo QPA0708T GaN功率放大器是一款60W功率放大器,采用Qorvo的0.25 m碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN25) 制造而成,安装在高导热性蝶片上。该放大器的工作频率范围为7.9至8.4 GHz,小信号增益为36 dB,线性功率为32 W,交调失真积为25 dBc,饱和输出功率为72 W,功率附…QPA2628D
概述:Qorvo QPA2628D是一款高性能、低噪声放大器,设计采用Qorvo的90nm pHEMT工艺 (QPHT09)。QPA2628D覆盖25-31 GHz,提供22 dB小信号增益和19 dBm的P1dB,同时支持1.7 dB的噪声系数和-53 dBc的IM3电平(在Pout = 0 dBm/音时)。QPA2628D的规格:工作频率:31 GHz工作电源…电话咨询:86-755-83294757
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