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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:UJ4SC075009B7S

商品名称:UJ4SC075009B7S

数据手册:UJ4SC075009B7S.pdf

品牌:Qorvo

年份:23+

封装:D2PAK-7

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
Qorvo
型号
UJ4SC075009B7S
封装
D2PAK-7
描述
表面贴装型 N 通道 750 V 106A(Tc) 375W(Tc)

产品描述

Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mΩ 的第 4 代 SiC FET。它基于独特的级联电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在替换 Si IGBT、Si 超结器件或 SiC MOSFET 时只需进行最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。


特性

导通电阻 (RDS(on)): 9 mΩ(典型值)

最高工作温度 175 °C

出色的反向恢复能力: Qrr = 338 nC

低体二极管 VFSD:1.1 V

低栅极电荷: QG = 75 nC

阈值电压 VG(th): 4.5 V(典型值),允许 0 至 15 V 驱动电压


应用

电动汽车充电

光伏逆变器

开关模式电源

功率因数校正模块

电机驱动器

感应加热

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型号

品牌

封装

数量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  • 6.公司能开发票吗?

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Qorvo

Qorvo

Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…

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