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Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mΩ 的第 4 代 SiC FET。它基于独特的级联电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在替换 Si IGBT、Si 超结器件或 SiC MOSFET 时只需进行最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

特性

导通电阻 (RDS(on))： 9 mΩ（典型值）

最高工作温度 175 °C

出色的反向恢复能力： Qrr = 338 nC

低体二极管 VFSD：1.1 V

低栅极电荷： QG = 75 nC

阈值电压 VG(th)： 4.5 V（典型值），允许 0 至 15 V 驱动电压

应用

电动汽车充电

光伏逆变器

开关模式电源

功率因数校正模块

电机驱动器

感应加热

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。