商品名称:IMW65R107M1HXKSA1
品牌:INFINEON
年份:21+
封装:TO-247-3
货期:全新原装
库存数量:240 件
IMW65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,以提供经济高效的性能。
产品参数
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:55 A
Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.2 V
Qg-栅极电荷:39 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:227 W
通道模式:Enhancement
优势
高性能、高可靠性和易用性
实现高系统效率
降低系统成本和复杂性
减小系统尺寸
适用于具有硬换向事件的拓扑
适用于高温和恶劣的运行条件
实现双向拓扑
潜在应用
服务器
电信系统
SMPS
太阳能系统
储能和电池信息
UPS
电动汽车充电
电机驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
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