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IMZA120R040M1H 采用TO247-4封装的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。

产品属性 

制造商 Infineon Technologies  

系列 CoolSiC™  

包装 管件  

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 55A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 54.4 毫欧 @ 19.3A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 8.3mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 227W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 PG-TO247-4-8  

封装/外壳 TO-247-4 

应用领域

电池化成

电动汽车快速充电

电机控制和驱动

电源

太阳能系统解决方案

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。