商品名称:IMZA120R040M1H
数据手册:IMZA120R040M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封装:TO-247-4
货期:全新原装
库存数量:240 件
IMZA120R040M1H 采用TO247-4封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应,从而实现更快的开关速度和更高的效率。
产品属性
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolSiC™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 54.4 毫欧 @ 19.3A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.2V @ 8.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1620 nF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 227W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-4-8
封装/外壳 TO-247-4
应用领域
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
电源
太阳能系统解决方案
型号
品牌
封装
数量
描述
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