商品名称:IMZ120R140M1H
数据手册:IMZ120R140M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封装:TO-247-4
货期:全新原装
库存数量:240 件
IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
特征描述
一流的开关和导通损耗
基准高阈值电压,Vth > 4 V
0V关断栅极电压,简单轻松地进行栅极驱动
栅源电压范围宽
损耗低且牢固的体二极管,可用于硬换向
开关关断损耗不受温度影响
驱动源引脚,优化开关性能
优势
最高效率
减少了冷却工作
提高了操作频率
增加了功率密度
降低了系统的复杂程度
应用领域
不间断电源(UPS)
电动汽车快速充电
太阳能系统解决方案
型号
品牌
封装
数量
描述
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CY8C4149LDE-S583 是 32 位 48 MHz 汽车 ARM Cortex-M0+ PSOC 4100S 微控制器 IC,它将可编程、可重配置的模拟和数字模块与灵活的自动路由相结合。CY8C4149LDE-S583 的规格内核 ARM Cortex M0+程序存储器大小:384 kB数据总线宽度:32 位ADC 分辨率: 12 位 12 位最大时钟…电话咨询:86-755-83294757
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