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S25FL064LABMFB001是一款采用 65 nm 浮栅工艺的 3.0 V、单电源闪存存储器器件。

FL-L系列采用双数据速率 (DDR) 读取命令，用于传送地址和在时钟两边读取数据的QIO和QPI。该架构采用页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程达256字节。该架构也提供单独4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除。FL-L NOR闪存具有各种移动或嵌入式应用所使用的高密度、灵活性和快速性能。

该闪存可为有限空间、信号连接和电源系统提供出色的存储解决方案。此外，该闪存非常适合用于RAM的代码遮蔽、直接执行代码 (XIP) 和存储可重新编程数据。

特性

多I/O串行外设接口 (SPI)

时钟极性和相位模式0和3

双倍数据速率(DDR)选项

四外设接口(QPI)选项

扩展寻址：24位或32位地址选项

与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足迹

与S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足迹

读取

命令：正常、快速、双I/O、四I/O、双O、四O、DDR四I/O

模式：突发回环、连续(XIP)、QPI

串行闪存可发现参数(SFDP)，用于配置信息

程序架构

256字节页编程缓冲器3.0V FL-L 闪存

程序暂停和恢复

擦除架构

统一4KB扇区擦除

统一32KB半块擦除

统一64KB块擦除

芯片擦除

擦除暂停和恢复

100,000次程序擦除周期

数据保留20年

典型技术

65nm浮栅技术

安全特性

状态和配置寄存器保护

四个256字节安全区域，均位于主闪存阵列外部

传统块保护：块范围

单个和区域保护

单个块锁定：易失性单个扇区/块

指针区域：非易失性扇区/块范围

电源锁定、密码或永久保护安全区域2和3以及指针区域

单电源电压，带CMOS I/O：2.7V至3.6V

温度范围：符合汽车AEC-Q100标准2级（-40°C至+105°C）

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。