商品名称：S25FL064LABMFM001
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：SOIC-16
货期：全新原装
库存数量：1000 件
S25FL064LABMFM001 NOR闪存系列采用65nm工艺光刻和浮栅技术。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。FL-L系列支持传统的SPI单位（单I/O或SIO）以及可选的2位（双I/O或DIO）。此外，它还支持4位宽四I/O (QIO) 和四外设接口 (QPI) 命令。
特性
多I/O串行外设接口 (SPI)
时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率(DDR)选项
四外设接口(QPI)选项
扩展寻址：24位或32位地址选项
与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足迹
与S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足迹
读取
命令：正常、快速、双I/O、四I/O、双O、四O、DDR四I/O
模式：突发回环、连续(XIP)、QPI
串行闪存可发现参数(SFDP)，用于配置信息
程序架构
256字节页编程缓冲器3.0V FL-L 闪存
程序暂停和恢复
擦除架构
统一4KB扇区擦除
统一32KB半块擦除
统一64KB块擦除
芯片擦除
擦除暂停和恢复
100,000次程序擦除周期
数据保留20年
典型技术
65nm浮栅技术
安全特性
状态和配置寄存器保护
四个256字节安全区域，均位于主闪存阵列外部
传统块保护：块范围
单个和区域保护
单个块锁定：易失性单个扇区/块
指针区域：非易失性扇区/块范围
电源锁定、密码或永久保护安全区域2和3以及指针区域
单电源电压，带CMOS I/O
2.7V至3.6V
温度范围：扩展型（-40°C至+125°C）
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
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