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UCC21550BQDWRQ1是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21550-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

应用

• 车载电池充电器

• 高压直流/直流转换器

• 汽车 HVAC，车身电子装置

特征

• 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性

– 器件温度 1 级

– 器件 HBM ESD 分类等级 H2

– 器件 CDM ESD 分类等级 C4B

• 结温范围：–40°C 至 +150°C

• 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出

• 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns

• 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源

– 5V、 8V VDD UVLO 选项

• 开关参数：

– 33ns 典型传播延迟

– 5ns 最大脉宽失真

– 10µs 最大 VDD 上电延迟

• 针对所有电源的 UVLO 保护

• 可针对电源时序快速禁用

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