商品名称:SKY58109-51
数据手册:SKY58109-51.pdf
品牌:Skyworks
年份:23+
封装:QFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
SKY58109-51 - 前端模块 (FEM) 是一款完全匹配的 135 焊盘双面模栅阵列 (DSMGA) 模块,专为 4G LTE 和 5G NR 应用而开发。
产品特性
集成 VCC 开关,用于电源连接
多增益状态平均功率跟踪模式
50 欧姆输入/输出阻抗
集成频带 1、3、40、32(75/76)、25(70)、66、30、7、41(38)、34、39
两个可编程 MIPI v3.0 数字控制器
通过 MIPI/RFFE 接口进行连续偏置控制
低电源电压
掉电模式下漏电流低
温度传感器
自主过压保护
集成天线和波段选择开关
两个辅助 MB Tx 输出,用于外部滤波器;两个辅助 HB Tx 输出,用于外部滤波器
两个辅助 TRx 端口,用于额外频段
辅助中频段天线开关输入,用于低频段模块的 2G Tx 输出
支持级联的集成式双向射频耦合器
集成 SRS_IN 和 SRS_OUT: 支持 B40、B41
集成 SRS_OUT FWD 射频耦合器
小型、扁平封装:
- 最大 6.5 mm x 6.25 mm x 0.765 mm
- 135 焊盘配置
SkyShield™ 自屏蔽模块
应用
多频段 4G 和 5G 手机
长期演进 (LTE)
- 高达 60 MHz 带宽/300 个资源块
5G 新无线电: 高达 190 MHz 带宽
型号
品牌
封装
数量
描述
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Skyworks Solutions,Inc公司总部位于马萨诸塞州沃本市,是高可靠性模拟和混合信号半导体领域的创新者。利用其核心技术,Skyworks提供各种标准和自定义线性产品,这些产品支持汽车、宽带、蜂窝基础架构、能源管理、工业、医疗、军事和移动手持设备应用程序。产品组合包括放…
SI8630EC-B-IS1R
SI8630EC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VD…SI8635BC-B-IS1R
SI8635BC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VD…SI8631EC-B-IS1R
SI8631EC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VD…SI8630BC-B-IS1R
SI8630BC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发输入,抗噪能力强,只需 VDD …SI8426BB-D-ISR
SI8426BB-D-ISR是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定性能高度统一。所有器件版本均具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VDD 旁路…Si8424BB-D-ISR
Si8424BB-D-ISR是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定性能高度统一。所有器件版本均具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VDD 旁路…电话咨询:86-755-83294757
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