QPF4006是一款面向39GHz相控阵5G基站和终端的多功能氮化镓MMIC前端模块。该器件结合了低噪声高线性度LNA、低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。
QPF4006的工作频率范围为37 GHz至40.5 GHz。接收路径(LNA+TR SW)设计为提供18dB的增益和小于4.2dB的噪声系数。发射路径(PA+SW)提供23 dB的小信号增益和2W的饱和输出功率。
关键性能:
•频率范围:37–40.5 GHz
•接收噪声系数:4.2 dB
•接收小信号增益:18 dB
•接收饱和功率:17 dBm
•接收TOI:20 dBm@-5 dBm引脚/信号音
•发射小信号增益:23 dB
•发射饱和功率:33 dBm
•Tx TOI:42 dBm@24 dBm Pout/信号音
•TX ACPR:32dBc@24dBm平均功率输出2
•Tx线性度:4%EVM@24 dBm平均Pout 2
•TX PAE:7%@24 dBm平均Pout。
•封装尺寸:4.5 X 4.0 X 1.8 mm
应用:
•5G无线基站和终端
•点对点通信
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
UJ4C075060L8SSB
UJ4C075060L8SSB 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075060L8SSR
UJ4C075060L8SSR 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075044L8SSB
UJ4C075044L8SSB 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075044L8SSR
UJ4C075044L8SSR 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075033L8SSR
UJ4C075033L8SSR 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…UJ4C075033L8SSB
UJ4C075033L8SSB 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…电话咨询:86-755-83294757
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