商品名称:SKY58100-31
数据手册:SKY58100-31.pdf
品牌:Skyworks
年份:23+
封装:QFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
SKY58100-31 Sky5® 多模多频段 Tx-Rx 前端模块 (FEM) 支持 2G/3G/4G/5G 移动设备,并能在 3G/4G/5G 模式下高效运行。SKY58100- 31 是我们 Sky5® 产品组合的一部分。FEM 由低频段 3G/4G/5G 功率放大器模块、低频段和高频段 2G 功率放大器模块、包含 MIPI RFFE 接口的硅控制器、射频频段开关、天线开关、双向耦合器、频段 8、5 和 28A 集成滤波器以及低噪声放大器 (LNA) 组成。极低的漏电流最大限度地延长了器件的待机时间。
集成电路芯片和无源元件安装在多层层压基板上。该组件封装在 7.6 mm x 6.0 mm x 0.75 mm、56 焊盘 MCM、SMT 塑料封装中,是一种高可制造性、低成本的解决方案。
功能
MIPI® RFFE 3.0 控制接口,电源电压为 1.8V/1.2V
集成开关式双工器滤波器,适用于波段 8、5 和 28A
集成式低噪声放大器 (LNA)
三个辅助 3G/4G/5G Tx 输出,用于外部滤波器
三个辅助 3G/4G/5G TRx 端口,支持更多频段
用于谐波相关 LB-MB 下行链路 CA 的 Tx 滤波器
集成低频段和高频段 2G 功率放大器
高频段 2G 与配套的 MB/HB 模块一起工作
支持级联的集成式双向射频耦合器
小型、扁平封装:
7.6 毫米 x 6.0 毫米 x 0.75 毫米
SkyShield™ 屏蔽模块
56 焊盘配置
应用
• 多频段 2G/3G/4G/5G 移动设备
• 手机、数据卡、M2M
• LTE 高级载波聚合 (CA)
型号
品牌
封装
数量
描述
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Skyworks Solutions,Inc公司总部位于马萨诸塞州沃本市,是高可靠性模拟和混合信号半导体领域的创新者。利用其核心技术,Skyworks提供各种标准和自定义线性产品,这些产品支持汽车、宽带、蜂窝基础架构、能源管理、工业、医疗、军事和移动手持设备应用程序。产品组合包括放…
SI8630EC-B-IS1R
SI8630EC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VD…SI8635BC-B-IS1R
SI8635BC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VD…SI8631EC-B-IS1R
SI8631EC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VD…SI8630BC-B-IS1R
SI8630BC-B-IS1R是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定,便于设计和实现高度统一的性能。具有施密特触发输入,抗噪能力强,只需 VDD …SI8426BB-D-ISR
SI8426BB-D-ISR是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定性能高度统一。所有器件版本均具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VDD 旁路…Si8424BB-D-ISR
Si8424BB-D-ISR是 CMOS 器件,与传统的隔离技术相比,在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部 BOM 方面具有很大的优势。工作参数在宽温度范围内和整个器件使用寿命期间保持稳定性能高度统一。所有器件版本均具有施密特触发器输入,抗噪能力强,只需 VDD 旁路…电话咨询:86-755-83294757
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