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IPBE65R115CFD7A 650V N沟道MOSFET晶体管，封装为TO-263-7（表面贴装型）。

型号：IPBE65R115CFD7A
FET类型：N通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏极-源极电压（Vdss）：650 V
电流-25°C时的连续漏极（Id）：21A（Tc）
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）：10V
Id时的Rds On（Max），9.7A、10V时的Vgs:115m欧姆
Vgs（th）（最大值）@Id:4.5V@490µA
栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs:41 nC@10 V

产品特征
650V汽车合格技术，集成快速体二极管，具有超低的Qrr
Kelvin源触点可用
更低的开关损耗，实现更高的开关频率
高质量和可靠性

N沟道MOSFET晶体管IPBE65R115CFD7A集成电路芯片650V TO-263-7

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。