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集成电路芯片IPW50R199CPFKSA1 N-通道550V 17A单晶体管

IPW50R199CPFKSA1的产品说明

IPW50R199CPFKSA1是N沟道550V 17A (Tc) 139W (Tc)晶体管，采用PG-TO247-3-1通孔封装。

IPW50R199CPFKSA1的规格

晶体管类型：N-沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏极至源极电压（Vdss）：550 V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：17A (Tc)

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 660µA

栅极电荷（Qg）（最大值）@ Vgs：45 nC @ 10 V

Vgs（最大）：±20V

输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds：1800 pF @ 100 V

功率耗散（最大）：139W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)

IPW50R199CPFKSA1的特点

超低的栅极电荷

极端的额定dv/dt

高峰值电流能力

无铅电镀；符合RoHS标准

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