商品名称:UCC21738QDWRQ1
数据手册:UCC21738QDWRQ1.pdf
品牌:TI
年份:23+
封装:16-SOIC
货期:全新原装
库存数量:1000 件
UCC21738QDWRQ1是一款电隔离单通道栅极驱动器,专为 SiC MOSFET 设计,设计用于高达 2121 V DC 工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT设计的电隔离单通道栅极驱动器,工作电压高达 2121V,具有先进的保护功能、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达±输入端与输出端采用 SiO2 电容隔离技术进行隔离,支持高达1.5-kVRMS 工作电压,12.8-kVPK 浪涌抗扰度输入端与输出端采用 SiO2 电容隔离技术隔离。
产品属性
技术:容性耦合
通道数:1
电压 - 隔离:5700Vrms
共模瞬变抗扰度(最小值):150V/ns
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):130ns,130ns
脉宽失真(最大):30ns
上升/下降时间(典型值):28ns,24ns(最大)
电流 - 输出高、低:10A,10A
电流 - 峰值输出:10A
电压 - 输出供电:13V ~ 33V
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
认证机构:UL,VDE
应用
● 电动汽车牵引逆变器
● 车载充电器和充电桩
● 用于 HEV/EV 的直流-直流转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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