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描述：表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tj） 405W（Tc） D2PAK

产品属性

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  

制造商 Nexperia USA Inc.  

系列 -  

包装 卷带（TR）剪切带（CT）

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 100 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tj）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.8 毫欧 @ 25A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 278 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 14400 pF @ 50 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 405W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 D2PAK  

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  

基本产品编号 PSMN4R8  

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