商品名称:STB41N40DM6AG
数据手册:STB41N40DM6AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:TO-263-3
货期:全新原装
库存数量:1000 件
STB41N40DM6AG 是采用 D²PAK 封装的汽车级 N 沟道 400V、典型值 0.050Ω、41A、MDmesh™ DM6 功率 MOSFET。
产品属性
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 41A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 20.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 53 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2310 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
产品特性
快速恢复体二极管
与上一代产品相比,单位面积 RDS(on) 更低
栅极电荷、输入电容和电阻低
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护
型号
品牌
封装
数量
描述
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