商品名称:STB30N65DM6AG
数据手册:STB30N65DM6AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:TO-263-3
货期:全新原装
库存数量:1000 件
STB30N65DM6AG 是采用 D²PAK 封装的汽车级 N 沟道 650V、典型值 102mΩ、28A MDmesh DM6 功率 MOSFET 晶体管。
产品属性
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 28A (Tc)
驱动电压(最大 Rds 导通,最小 Rds 导通)10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs 115mOhm @ 10A,10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 2000 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 223W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汽车级
认证 AEC-Q101
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D²PAK (TO-263)
产品特性
快速恢复体二极管
与上一代产品相比,单位面积 RDS(on) 更低
栅极电荷、输入电容和电阻低
100% 经过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护
应用
开关应用
型号
品牌
封装
数量
描述
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