商品名称：UCC21739QDWRQ1
数据手册：
UCC21739QDWRQ1.pdf
品牌：TI
年份：23+
封装：16-SOIC
货期：全新原装
库存数量：1000 件
UCC21739QDWRQ1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，专为直流工作电压高达 990 V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护功能、同类最佳的动态性能和稳健性。
产品特性
3kVRMS 单通道隔离栅极驱动器
SiC MOSFET 和 IGBT 高达 990Vpk
33V 最大输出驱动电压（VDD-VEE）
±10A 驱动强度和分路输出
150V/ns 最小 CMTI
270ns 响应时间快速过流保护
外部有源毫勒钳位
故障发生时内部 2 级关断
12V VDD UVLO，RDY 时电源良好
输入/输出具有过冲/欠冲瞬态电压抗扰度，最高可达 5V
传播延迟为 130ns（最大值），脉冲/部分偏移为 30ns（最大值
SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙大于 8 mm
工作结温 -40°C 至 150°C
应用
- 电动汽车牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- 用于 HEV/EV 的 DC/DC 转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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