PAC22140 是一款智能电池监控系统 (BMS),可监控 10 系列至 20 系列锂离子、锂聚合物和磷酸铁锂电池组。
PAC22140 集成了闪存可编程 MCU、电源管理、电流/电压/温度检测以及充放电 FET 和保护保险丝的驱动电路。它可以使用 UART/SPI 或 I2C/SMBus 串行接口进行通信。
特点
完全可编程的 50MHz Arm Cortex M0,带 32kB 闪存
10 秒至 20 秒电池监控和平衡
19V 至 145V 输入降压 DC/DC
用于栅极驱动的高压电荷泵
5V/225mA 稳压器
CHG/DSG FET 驱动器
20 秒电池平衡 FET(50mA)
用于电流检测的 16 位 SD ADC,带差分 PGA
16 位 SD ADC,用于电压检测、电池平衡
10 位 SAR ADC,用于电压/温度感应
可编程 2 级 OCP
9mm x 9mm、60 引脚 QFN 封装,带电源焊盘
-40°C 至 +105°C 环境温度范围 (TA)
应用
园林工具
电动工具
电子运输
广泛的工业电池管理
型号
品牌
封装
数量
描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
UJ4C075060L8SSB
UJ4C075060L8SSB 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075060L8SSR
UJ4C075060L8SSR 是一款 750V、58mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 58 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 70nC低体二极管 VFSD:1.3…UJ4C075044L8SSB
UJ4C075044L8SSB 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075044L8SSR
UJ4C075044L8SSR 是一款 750V、44mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 44 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:…UJ4C075033L8SSR
UJ4C075033L8SSR 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…UJ4C075033L8SSB
UJ4C075033L8SSB 是一款 750V、33mohm G4 SiC FET。它采用独特的级联电路配置,将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,从而产生常闭 SiC FET 器件。特性导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)工作温度 175℃(最高)出色的反向恢复: Qrr = 89nC低体二极管 VFSD:1.2…电话咨询:86-755-83294757
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