商品名称:NTMFSC1D6N06CL
数据手册:NTMFSC1D6N06CL.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:8-PowerVDFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
NTMFSC1D6N06CL Dual Cool™ N通道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造而成。NTMFSC1D6N06CL MOSFET通过封装的顶部和底部实现了增强散热能力。NTMFSC1D6N06CL将硅与Dual Cool™封装技术相结合,不仅具有极低的rDS(on),而且还可以通过极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Ta),235A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):91 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6660 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),166W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-DFN(5x6.15)
封装/外壳:8-PowerVDFN
应用
● 奥林 FET/负载开关
● 同步整流器
● 直流-直流转换
型号
品牌
封装
数量
描述
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