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NTH4L060N090SC1采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。而且，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：43 毫欧 @ 20A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：87 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1770 pF @ 450 V

功率耗散（最大值）：221W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L

应用

● 不间断电源

● 直流-直流转换器

● 升压型逆变器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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