NCV7708FDWR2G是一款全保护型六路半桥驱动器,特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置,也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。
特性
超低静态电流睡眠模式
六个独立的高压侧和六个独立的低压侧驱动器
集成续流保护(LS 和 HS)
内部上下钳位二极管
可配置为 H 桥驱动器
RDS(on) = 0.6 Ω(典型值)
5 MHz SPI 控制
SPI 有效帧检测
兼容 5 V 和 3.3 V 系统
过压和欠压锁定
故障报告
电流限制
过温保护
采用 SOIC-28 封装的内部熔断引线,散热性能更佳
典型应用
汽车
工业
直流电机管理
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
NB3U1548CDTR2G
NB3U1548CDTR2G是一款 LVCMOS、耐过压时钟扇出缓冲器,适用于高性能电信、网络和计算应用中的时钟发生。AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR 图像传感器灵敏度极高,适用于各种汽车应用。它的有源阵列尺寸为 2048 x 1280,以每秒 60 帧的速度输出 1080p 画面。规格:部件状态:激活类型:CMOS像素尺寸:3 微米 x 3 微米有源像素阵列:2048H x 1280V每秒帧数:60封装/外壳:80-LBGA特性3.0…SNXH160T120L2Q1PG
SNXH160T120L2Q1PG这款高密度集成电源模块结合了高性能 IGBT 和坚固耐用的反并联二极管。NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,具有 PPAP 能力,适合汽车应用。特点小尺寸(5x6 毫米),适合紧凑型设计低 RDS(on),将…NVMFD5C466NWFT1G
NVMFD5C466NWFT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,具有 PPAP 能力,适合汽车应用。特点小尺寸(5x6 毫米),适合紧凑型设计低 RDS(on),将…NVMFS5C680NLWFT1G
NVMFS5C680NLWFT1G 是汽车功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引线封装,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,具有 PPAP 能力,适合汽车应用。特点小尺寸(5x6 毫米),适合紧凑型设计低 RDS(on),…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: