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NVMFSC0D9N04CL 安森美半导体NVMFSCx 40V和60V汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm双面冷却封装，非常适合紧凑高效的设计。这些单N通道器件具有1.5mΩ和0.9mΩ RDS(on)（漏极-源极导通电阻），可最大限度降低导通损耗。该MOSFET包含可湿性侧翼选项，用于增强光学检测。该器件还符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，因此适合用于汽车应用。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta），316A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.87 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），166W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-DFN（5x6.15）

封装/外壳：8-PowerVDFN

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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