商品名称:MT41K512M16VRN-107 IT:P
数据手册:MT41K512M16VRN-107 IT P.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封装:96-TFBGA
货期:全新原装
库存数量:8000 件
933MHz集成电路芯片 MT41K512M16VRN-107 IT:P 8Gbit 存储器IC 96FBGA
MT41K512M16VRN-107 IT:P TwinDie DDR3L SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器设备,内部配置为两个8组DDR3L SDR AM设备。
型号 MT41K512M16VRN-107 IT:P
内存格式 DRAM
技术 SDRAM-DDR3L
内存大小 8Gbit
内存组织 512M x 16
内存接口 并联
时钟频率 933 MHz
写入周期时间-Word,第15ns页
访问时间 20 ns
电压-电源 1.283V~1.45V
工作温度 -40°C~95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 96-TFBGA
供应商器件封装 96-FBGA(8x14)
MT41K512M16VRN-107 IT:P DDR3L SDRAM采用双数据速率架构,实现高速运行。双数据速率体系结构是一种8n预取体系结构,其接口设计为在I/O球处每个时钟周期传输两个数据字。
型号
品牌
封装
数量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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