商品名称:SAK-TC277TC-64F200N DC
数据手册:SAK-TC277TC-64F200N DC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:292-LFBGA
货期:全新原装
库存数量:5000 件
单片机 SAK-TC277TC-64F200N DC 292LFBGA 4MB微控制器芯片200MHz
产品特征
带有系统PLL和Flexray PLL的时钟生成单元
10个单边缘Nibble传输(SENT)通道,用于连接传感器
符合V1.3(PSI5)的三通道外围传感器接口
四/五线JTAG(IEEE 1149.1)或DAP(设备访问端口)接口
产品规格
内核规格 32 位三核
速度 200MHz
外设 DMA,POR,WDT
程序存储容量 4MB(4M x 8)
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 24K x 8
RAM 大小 424K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 1.17V ~ 5.5V
数据转换器 A/D 60x12b SAR,三角积分
振荡器类型 外部
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx 微控制器 IC 32 位单核 240MHz 4MB(4M x 8) 闪存 PG-LFBGA-292-6
Renesas
QFN-48
2000
ARM® Cortex®-M23 RA2A1 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 256KB(256K x 8) 闪存 48-HWQFN(7x7)
Renesas
32-LQFP
2000
ARM® Cortex®-M23 RA2A1 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 256KB(256K x 8) 闪存 32-LQFP(7x7)
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
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CY62157G18-55BVXI是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45BVXI
CY62157G30-45BVXI 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45ZSX
CY62157G30-45ZSX 是一款8Mb、高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用44-TSOP封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量…CY62157G30-45ZXA
CY62157G30-45ZXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量:8Mb存储器组织:512K…电话咨询:86-755-83294757
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