商品名称:S27KL0642DPBHV023
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:24-FBGA
货期:全新原装
库存数量:1000 件
S27KL0642DPBHV023 64MB HyperRAM™(PSRAM)器件是一款具有Hyperbus™接口的高速CMOS自刷新DRAM,其存储阵列的内部结构类似于DRAM,而外在行为则与SRAM相似。
规格
存储器类型:易失
存储器格式:PSRAM
技术:PSRAM(伪 SRAM)
存储容量:64Mbit
存储器组织:8M x 8
存储器接口:HyperBus
时钟频率:166 MHz
写周期时间 - 字,页:36ns
访问时间:36 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VBGA
供应商器件封装:24-FBGA(6x8)
HYPERRAM具有高吞吐量、低引脚数、外形小巧和高能效等优点,这使它成为适用于汽车、工业和通信领域的众多应用的扩展存储理想之选。
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F3L600R10W4S7F-C22 带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和 CoolSiC™ 肖特基二极管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK™ 模块特征• 电气特性- VCES = 950 V- IC 标称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二极管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C• 机械特性- CTI >FF900R17ME7-B11
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FF600R12ME7-B11 是 EconoDUAL™3 模块,带有 TRENCHSTOP™IGBT7 和发射极受控 7 二极管和 NTC。特点电气特性VCES = 1200 VIC 额定值 = 600 A / ICRM = 1200 A集成温度传感器Trenchstoptm IGBT7正温度系数 VCEsat机械特性高功率密度隔离底板PressFIT 触点技术标准外壳潜在…电话咨询:86-755-83294757
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