S27KL0642GABHB020 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,带有 HYPERBUS™ 接口。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS™ 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRAM 阵列就好像内存使用了无需刷新即可保留数据的静态单元。因此,将该存储器描述为伪静态 RAM(PSRAM)更为准确。
S27KL0642GABHB020 的特点
HYPERBUSTM 接口
支持 1.8V / 3.0 V 接口
单端时钟 (CK) - 11 个总线信号
可选差分时钟 (CK, CK#) - 12 个总线信号
芯片选择 (CS#)
8 位数据总线 (DQ[7:0])
硬件复位 (RESET#)
双向读写数据选通 (RWDS)
在所有事务开始时输出,指示刷新延迟
在读取事务期间作为读数据选通输出
在写入事务期间作为写入数据掩码输入
-可选 DDR 中心对齐读取选通 (DCARS)
在读取事务期间,RWDS 被第二个时钟偏移,与 CK 相移
相移时钟用于在读取数据眼内移动 RWDS 转换边沿
最大时钟频率为 200 MHz
DDR - 在时钟的两个边沿上传输数据
数据吞吐量高达 400 MBps(3,200 Mbps)
可配置的突发特性:
线性突发
混合选项 - 一个封装突发后是线性突发
型号
品牌
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F3L600R10W4S7F-C22 带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和 CoolSiC™ 肖特基二极管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK™ 模块特征• 电气特性- VCES = 950 V- IC 标称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二极管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C• 机械特性- CTI >FF900R17ME7-B11
FF900R17ME7-B11搭载TRENCHSTOP™ IGBT7 第七代发射极控制二极管、NTC、PressFIT压接技术,还可预涂热界面材料(TIM)。FF900R17ME7-B11具有最高功率密度,出类拔萃的VCE,sat,过载时Tvj op = 175C,优化开关损耗,增强dv/dt可控性,改善二极管软度和Erec损耗,增强对宇宙…FF600R12ME7-B11
FF600R12ME7-B11 是 EconoDUAL™3 模块,带有 TRENCHSTOP™IGBT7 和发射极受控 7 二极管和 NTC。特点电气特性VCES = 1200 VIC 额定值 = 600 A / ICRM = 1200 A集成温度传感器Trenchstoptm IGBT7正温度系数 VCEsat机械特性高功率密度隔离底板PressFIT 触点技术标准外壳潜在…电话咨询:86-755-83294757
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