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NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET与硅器件相比，具有更好的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有1200V漏极-源极电压 (VDSS) 和19.5A最大电容漏极电流 (ID)。具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。该MOSFET具有高效率、更快工作频率、高功率密度、低电磁干扰 (EMI) 以及较小的系统尺寸等特性。符合汽车应用标准，例如汽车车载充电器和汽车用直流/直流转换器（用于EV/HEV），符合AEC-Q101标准。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：224毫欧 @ 12A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：33.8 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：678 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK-7

封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

应用

● 车载充电器

● 电动汽车 (EV )/混合电动汽车 (HEV) 用汽车直流/直流转换器

● 逆变器

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