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Si7114DN N-通道30-V（D-S）快速开关MOSFET

产品属性

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 30 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.7A（Ta）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.5 毫欧 @ 18.3A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 19 nC @ 4.5 V  

Vgs（最大值） ±20V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8  

封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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