商品名称：STM32H750VBT6
数据手册：
STM32H750VBT6.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：100-LQFP
货期：全新原装
库存数量：8000 件
STM32H750VBT6提供三个ADC、两个DAC、两个超低功率比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器、一个真随机数发生器（RNG）和一个加密加速单元。
特征
SPDIFRX接口
SWPMI单线协议主I/F
MDIO从机接口
2×SD/SDIO/MMC接口（最高125 MHz）
2×CAN控制器：2个带CAN FD，1个带时间触发CAN（TT-CAN）
2×带LPM和BCD的USB OTG接口（1FS、1HS/FS）无晶体解决方案
带DMA控制器的以太网MAC接口
8至14位摄像头接口（最高80 MHz）
3×ADC，最大分辨率为16位（最多36个通道，最多3.6 MSPS）
1×温度传感器
2×12位D/A转换器（1 MHz）
2×超低功率比较器
型号
品牌
封装
数量
描述
Renesas
145-TFLGA
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB（512K x 8） 闪存 145-TFLGA（7x7）
Renesas
100-TFLGA
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB（512K x 8） 闪存 100-TFLGA（7x7）
Renesas
64-WFQFN
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB（512K x 8） 闪存 64-HWQFN（8x8）
Microchip
VQFN-20
4900
PIC PIC® 16F 微控制器 IC 8 位 32MHz 14KB（8K x 14） 闪存 20-VQFN（3x3）
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。
STL170N4LF8
STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟道栅极结构。
ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
STL305N4LF8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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