商品名称：STM32H750ZBT6
数据手册：
STM32H750ZBT6.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：144-LQFP
货期：全新原装
库存数量：8500 件
STM32H750ZBT6包含高速嵌入式存储器，具有128 KB的闪存、高达1 MB的RAM，以及连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的各种增强型I/O和外围设备，以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
产品规格
I/O数量 114
程序内存大小 128KB（128K x 8）
程序存储器类型 FLASH
内存大小 1M x 8
电压-电源（Vcc/Vdd） 1.62V~3.6V
数据转换器 A/D 28x16b；D/A 2x12b型
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C~85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 144-LQFP
供应商封装 144-LQFP（20x20）
型号：STM32H750ZBT6
封装：144-LQFP
类型：32位单核480MHz微控制器IC
型号
品牌
封装
数量
描述
Renesas
145-TFLGA
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB（512K x 8） 闪存 145-TFLGA（7x7）
Renesas
100-TFLGA
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB（512K x 8） 闪存 100-TFLGA（7x7）
Renesas
64-WFQFN
2000
ARM® Cortex®-M4 Renesas Synergy™ S3 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 512KB（512K x 8） 闪存 64-HWQFN（8x8）
Microchip
VQFN-20
4900
PIC PIC® 16F 微控制器 IC 8 位 32MHz 14KB（8K x 14） 闪存 20-VQFN（3x3）
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STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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