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CY7C1361KVE33-133AXM

产品说明:9-Mbit 直通式同步 SRAM 存储器 IC

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXM

产品说明:18-Mbit 直通式同步 SRAM 存储器 IC

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD820N16KOF

产品说明:采用压接技术的1600 V、60 mm晶闸管/二极管模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXI

产品说明:ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD700N22KOF

产品说明:60 毫米晶闸管/二极管模块,采用压力触点技术,电压 2200 V

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1373KV33-100AXC

产品说明:18-Mbit 同步 SRAM 存储器 IC

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD570N16KOF

产品说明:60 毫米晶闸管/二极管模块,采用压力触点技术,电压 1600 V

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KV33-250AXC

产品说明:18-Mbit 同步 SRAM 存储器 IC

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD520N22KOF

产品说明:60 毫米晶闸管/二极管模块,采用压力触点技术,电压 2200 V

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KVE33-167AXM

产品说明:18-Mbit 同步 SRAM 存储器 IC

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1460KV33-167AXC

产品说明:36-Mbit 同步 SRAM 存储器 IC

封装:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLV4964-2M

产品说明:磁性开关——霍尔效应开关,PG-SOT23-3

封装:PG-SOT23-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1460KV33-167BZC

产品说明:36-Mbit 同步 SRAM 存储器 IC

封装:FBGA-165
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLV4964-1M

产品说明:磁性开关——霍尔效应开关,PG-SOT23-3

封装:PG-SOT23-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
4DIR2401H

产品说明:四通道数字隔离器,PG-DSO-16

封装:PG-DSO-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
4DIR1401H

产品说明:四通道数字隔离器,PG-DSO-16

封装:PG-DSO-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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